igbt等效电路 igbt等效电路图
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这个IGBT等效电路图对吗?
是igbt内部结构图还是使用igbt等效电路了igbtigbt等效电路的原理图igbt等效电路?要是找应用原理图igbt等效电路的话可以上网上搜一下大功率变频器或者高压绕线式电动机高频斩波调速控制原理图就行
IGBT模块的工作原理?
IGBT工作原理:
IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。
由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:
——IGBT栅极与发射极之间的电压;
——IGBT集电极与发射极之间的电压;
——流过IGBT集电极-发射极的电流;
——IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。
IGBT是什么
全名叫 -- 绝缘栅双极性晶体管igbt等效电路,是当今社会比较新型也是利用比较广泛igbt等效电路的功率电子元器件。它的作用是将整流后的直流电再变成中频交流电,应用广泛,电磁炉,变频空调,逆变电焊机等等很多的电源中。
什么是IGBT?它的作用是什么?
IGBT是Insulated
Gate
Bipolar
Transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT
技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。
IGBT硅片的结构与功率MOSFET
的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+
基片和一个N+
缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+
区之间创建了一个J1结。
IGBT是一种功率晶体,运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能,使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。
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