ch7036参考电路 ch7026b

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本文目录一览：

• 1、为什么CH340与单片机连接后，DCDC模块的电源指示灯亮了？
• 2、CH340G电路图
• 3、芯片cav414的使用，求各引脚详细参数。
• 4、CH340G的3.3V和5V两种接法
• 5、ch573dcdc电路有什么用
• 6、ch372与单片机怎么连接

为什么CH340与单片机连接后，DCDC模块的电源指示灯亮了？

左图是dc-dcch7036参考电路的原理图ch7036参考电路，led1是这个板子的输出指示灯ch7036参考电路，输出的5v通过1k限流电阻再通过led1到地构成回路，只要dc-dc板子工作，led1就会亮，如果没有接入24v供电也就是dc-dc没有工作而led1亮ch7036参考电路了，要检查dc-dc板子其ch7036参考电路他板子是怎么连接的。

CH340G电路图

你好同学，仔细看一下CH340G的封装，你的引脚定义可能画反了，这种芯片一般都是从左上到左下是Pin1~Pin8，右下到右上是Pin9~Pin16,7、8脚是接晶体振荡器的，你接的是9、10脚。

芯片cav414的使用，求各引脚详细参数。

文档的第7、8页就是接法的电路啊

文档的第16页，也就是最后一页就是各引脚的详细描述

计算过程：

第一步是测量电路工作点的调整，使系统电路处于可以测量出必要的输出电压VDIFF,min 和 VDIFF,max状态，然后可以进一步进行校准。

首先代入所希望的充电电流ICR 和ICM ，并将已知的测量电容的最大值和最小值（CM,min 和 CM,max）代入应用软件，然后代入测量电容最小和最大时的希望的输出电压值VOUT(min) 和VOUT(max) 以及耦合电压VIR.。

必须注意充电电流ICR 和ICM应该在2µA 至25µA之间。振荡器频率fOSC应该在1kHz 至130kHz 之间。如果以上参数不在要求范围之内，就要尽可能地修改。

测量电容的值必须在10pF 至2nF 之内。测量电容变化率CM,min/CM,max 应该是参考电容CR (CR=CM,min) 的5% 至100% （比如100pF/105pF 或者100pF/200pF）。最小的输出电压VOUT(min) 可以在0和1V之间。当电源电压Vcc＜19V时，最大输出电压VOUT(max) 为Vcc-5V；当电源电压Vcc＞19V时，最大输出电压值是14V（比如电源电压Vcc=24V时，输出0,5V到10V或者输出1V 到14V）。输出电压VOUT 是信号VDIFF 经过仪表放大IA和运算放大OP得到的。

耦合电压VIR 是电阻RCR , RCM 上的电压降。该电压越低，在底下的电阻RCX 上的电压降就越大。在共同电阻RCX 上的电压降越大，意味着充电电流ICR 和 ICM 的热的耦合也大，也就是二个充电电流相互间热性能的平衡。耦合电压VIR 应该在0,2V（最大耦合）到 2,0V（无耦合）之间。

除了参考振荡器频率 fOSC ，振荡器电阻ROSC 和电容COSC 之外还有必要的电流源电阻RCR , RCM 和 RCX要计算出来以及与振荡器频率相关的低通滤波电容CL1 和CL2也要计算出来。电阻R1确定最后一级运算放大器OP的放大倍数。

对一个系列产品这样一次计算就足够了（取测量电容最小值系列中的最大值CM,min），只要将相应的电容（对所有CM,min）安装到电路板上即可。除外还计算出了测量电容系统可检测的频响fDET（传感器检测速率），它与参考振荡器的频率有关。

用预先确定的和计算出来的外接元器件使得系统电路完全确定了。

计算出的电路参数（第一步以后）

R1 确定最后输出级IA和 OP的放大倍数的电阻（单位：kΩ）

COSC 确定振荡器频率的电容（单位：pF）

ROSC 确定振荡器频率的电阻（单位：kΩ）

fOSC 振荡器频率（单位：kHz）

CR 参考电容（与测量电容最小值CM,min相关）（单位：pF）

RCR , RCM 充电电流调整电阻（单位：kΩ）

RCX 二个充电电流ICR , ICM的热平衡电阻（单位：kΩ）

CL1 , CL2 低通滤波器电容（单位：nF）

fDET 电容传感器CM系统可检测速率（单位： Hz）

REMV1 , REMV2 提高抗EMV电磁干扰的措施（单位： kΩ）

用所给出的固定参数的元器件（见产品说明书）RL2 ，RL3和RB（都是100kΩ，精度是1%），R2 (100kΩ，精度是0,1%)，, CVM (100nF), CREF (2.2µF)，特别是预先定义的测量电阻 RL1(mess) 和RA(mess) （22kΩ和200kΩ，精度为0,1%），还有经过第一步计算出来的一些外接元器件组成了一个可校准的电路系统，为进一步调整电压信号VDIFF(mess) =VLPout(mess) - VVM 做好准备。最后输出级的放大倍数电阻R1 (精度为0,1%)也同时计算出来，它确定了从电压信号VDIFF放大到输出级（IA和OP）电压VOUT的大小。

现在整个系统可以通电加上电源VCC 正常工作。保险起见可用合适的示波器观察一下是否有完整的锯齿波信号存在，然后做第二步校准。

首先要测出当测量电容最小CM,min和最大CM,max时的输出电压VDIFF(mess,min)和 VDIFF(mess,max) ，并将这二个输出电压值VDIFF(mess,min) 和 VDIFF(mess,max)代入校准应用软件。应用软件计算出二个校准电阻值RL1 和 RA，用它们来替换二个测量电阻RL1(mess) 和 RA(mess) ，获得假定的电压信号VDIFF，并经过输出级IA 和OP放大使输出电压VOUT为所希望的电压信号值。为了能达到所希望的精度，这二个校准电阻值尽可能与计算出的值相等。

第二步 测量

VDIFF (mess,min) 当 CM,min 时，测量VDIFF(mess,min)（单位：mV）

VDIFF (mess,max) 当CM,max 时，测量VDIFF(mess,max)（单位：mV

系统校准应用软件已经将所有寄生效应和所有误差考虑进去，所以计算出的二个校准电阻RL1 和RA 替换二个测量电阻RL1(mess) 和RA(mess) 后，系统的校准就算完成。

软件计算出参数

经过校准后的希望值信息：VOUT 和VDIFF

RL1, RA : 调整VDIFF,min 和VDIFF,min的校准电阻（单位：kΩ）

第三步 误差计算

可以通过第三步将经过校准的输出电压VOUT 测量值代入软件计算出输出误差（%FS），FS= VOUT(max)。

软件计算出参数

经过校准后的希望值信息：VOUT 和VDIFF

RL1, RA : 调整VDIFF,min 和VDIFF,min的校准电阻（单位：kΩ）

第三步 误差计算

可以通过第三步将经过校准的输出电压VOUT 测量值代入软件计算出输出误差（%FS），FS= VOUT(max)。

具体的有份文档你下载下来后他有教你慢慢的计算和参考电路。

文档的第13、14页有实例计算的。

CH340G的3.3V和5V两种接法

科技老顽童的STM32开发板的CH340G芯片是3.3V供电，正点原子的开发板上的CH340G芯片是5V供电，两个开发板都可以正常工作。

下图是科技老顽童的CH340G电路图：

下图是正点原子的CH340电路图：

仔细观察，你会发现，这两种电路，分别是3.3V供电和5V供电的两种电路。看CH340G的16引脚VCC，一个是5V，一个是3.3V。

我们再看一下CH340官方数据手册上对第4脚V3的解释：

ch573dcdc电路有什么用

启用 DC-DC 可以提升电源能耗利用率，工作电流通常将下降到直通方式的 60%左右。

dcdc表示的是将某一电压等级的直流电源变换其他电压等级直流电源的装置。dcdc按电压等级变换关系分升压电源和降压电源两类，按输入输出关系分隔离电源和无隔离电源两类。

dcdc，表示的是将某一电压等级的直流电源变换其他电压等级直流电源的装置。dcdc按电压等级变换关系分升压电源和降压电源两类，按输入输出关系分隔离电源和无隔离电源两类。例如车载直流电源上接的dcdc变换器是把高压的直流电变换为低压的直流电。

电动汽车用dcdc变换器是应用在电动汽车的一种机器。在以燃料电池为电力能源的电动汽车中，由于燃料电池的输出特性偏软，输出电压不稳，需要在燃料电池与逆变器之间增加一个dcdc变换器。

ESP32-C3和CH573都是RISC-V核心的2.4G无线SoC，价格都不高，可以考虑用来替代涨价的通用MCU，最近刚刚盘完这两款芯片，先说结论：CH573更适合当作通用MCU来使用。

核心性能

两者都是RV32IMAC核心，ESP32-C3主频最高160M四级流水线，CH573最高60M两级流水线，性能方面显然ESP32-C3更强。当然考虑功耗两者实际使用中往往都不会用到最高频率。

存储资源

ESP32-C3有384kB的ROM和400kB的SRAM，FLASH是可选的，有内置512kB版本。

CH573有18kB的SRAM，全系标配了512kB的FLASH。

纸面数据上显然是ESP32-C3更强，尤其是SRAM两者有数量级的差距。CH573也没有内置的ROM固化蓝牙的协议栈，协议栈部分都要放到512kB的FLASH中，当然不用蓝牙的话这些FLASH都可以存储用户代码，448kB的程序FLASH基本可以实现FLASH自由了。18kB的SRAM又要放数据，又要放部分高性能代码，确实是比较紧张的，考虑到很多入门级的通用MCU只有8kB的SRAM也用得好好的，问题也不是很大。

芯片外围

两者外围都不算复杂，CH573的外围更简单一些，甚至连晶振的负载电容都不需要。电源不用DCDC的话，直接一路3.3V就可以了，去耦电容最少只需要3个。ESP32-C3考虑外接SPI FLASH就比较麻烦了。

可用IO

同样是CH573更好，QFN28封装有20个用户可用IO；而ESP-32C3由于要考虑外接FLASH，QSPI接口就占用了6个IO，导致用户实际可用的IO更少，而且内置FLASH的版本这6个IO用户也不能用。

开发环境

开发环境分别是ESP-IDF和MounRiver，代表了设计思想的两个极端。

ESP-IDF大而全，配置使用非常繁琐，往往用户需要花很多时间来搞环境，全部命令行操作，还依赖github，从github上找上GB的包依赖很多时候是非常崩溃的，很多小白用户光环境就够他们喝一壶的了。要想使用好ESP-IDF，用户必须熟练使用Linux命令行，最好会写shell脚本，会写python脚本，会写makefile。

MounRiver是基于Eclipse的，这是一个非常好用的IDE框架，上手简单，WCH可能是觉得它还不够简单，于是就对它进行了一些负优化：弱化了Eclipse本身的workspace功能，把MDK和VS的solution和project移植过来，分别搞了两个配置文件，源文件编码全部设置成GBK，完全不考虑Eclipse老用户和Linux用户的感受。那么多的基于Eclipse做开发环境的厂家，WCH这么做也算是独树一帜了。

整体用下来还是MounRiver更好一些，开箱即用，把时间浪费在配置环境上是非常不划算的。

下载与调试

下载方面，ESP32-C3的esptool已经非常好用了，不过CH573的下载更好一些，直接用USB下载，速度更快，也不需要外部的工具。

调试方面，ESP32-C3只能依赖串口log，四线JTAG基本没人用。CH573除了串口Log，还有两线的SWD接口可用，这在RISC-V里面也算是独树一帜，调试直接在MounRiver里进行，不会让用户直接操作openocd，降低了使用门槛。

功耗

CH573更低一些，不用蓝牙的话，代码里没有任何协议栈的内容，实测60M主频，使能USB，实测7.2mA。甚至比很多通用MCU功耗还低。

ESP32-C3由于依赖ESP-IDF框架，底层的协议栈不太好剥离，实际功耗也更高一些。更早的Xtensa核心版本比如ESP8266等，功耗更高。

外设

ESP32-C3的外设相比ESP8266好了很多，基本的GPIO/SPI/UART/DMA都有，还有个USB，当然这个USB只能当CDC或者JTAG使用，对用户来说并不是很友好。

CH573基本的GPIO/SPI/UART/DMA也都有，它的USB接口和CH552基本是一样的，十分适合做USB应用，用CH552但是8051性能又不够的场合，用CH573来替换就再合适不过了。CH573虽然是RISC-V核心，但是外设使用起来和8位的CH552更像一些，直接使用寄存器来操作就很方便，官方提供的SDK也只是对寄存器进行了很薄的一层封装。

成本

截止2021年11月4日，ESP32-C3大约5.x元，CH573大约3.x元，CH573更便宜一些。

ch372与单片机怎么连接

连接USB总线（下图）

P1 是USB 端口ch7036参考电路，USB 总线包括一对5V 电源线和一对数据信号线ch7036参考电路，通常ch7036参考电路，+5V 电源线是红色，接

地线是黑色，D+信号线是绿色，D-信号线是白色。USB 总线提供的电源电流最大可以达到500mA，一

般情况下，低功耗的USB 产品可以直接使用USB 总线提供的5V 电源。如果USB 产品通过其它供电方

式提供常备电源，那么CH372 应该与单片机一起使用该常备电源并且断开USB 总线的电源ch7036参考电路；如果需要

同时使用USB总线的电源，那么可以通过阻值约为1Ω 的电阻R1 连接USB总线的5V 电源线与USB产

品的5V 常备电源，并且两者的接地线直接相连接。

图中，可选电阻R2 用于在电源断电后将电解电容C5 中的电能及时释放掉，使VCC 及时下降到

0V，确保在下次通电时CH372 能够可靠地上电复位。为使CH372 能够可靠复位，电源电压从0V 上升

到5V 的上升时间应该少于100mS，所以电容C5 的容量和电阻R1 的阻值都不能太大。

电容C3 用于CH372 内部电源节点退耦，C3 是容量为4700pF 到0.02μF 的独石或者高频瓷片电

容。电容C4和C5 用于外部电源退耦，C4 是容量为0.1μF 的独石或者高频瓷片电容。晶体X1、电容

C1 和C2 用于CH372 的时钟振荡电路。晶体X1 的频率是12MHz，C1 和C2 是容量为15pF～30pF 的独

石或者高频瓷片电容。

如果CH372 的电源电压为3.3V，那么应该将V3 引脚与VCC 引脚短接，共同输入3.3V 电压，并

且电容C3 可以省掉。

在设计印刷线路板PCB 时，需要注意：退耦电容C3 和C4 尽量靠近CH372 的相连引脚ch7036参考电路；使D+和

D-信号线贴近平行布线，尽量在两侧提供地线或者覆铜，减少来自外界的信号干扰；尽量缩短XI 和

XO 引脚相关信号线的长度，为了减少高频时钟对外界的干扰，可以在相关元器件周边环绕地线或者

覆铜。

CH372 芯片具有通用的被动并行接口，可以直接连接多种单片机、DSP、MCU 等。在普通的MCS-51

系列单片机的典型应用电路中，CH372 芯片可以通过8 位被动并行接口的D7～D0、-RD、-WR、-CS、

A0 直接挂接到单片机U2 的系统总线上。

如果MCS-51单片机没有用U3锁存A7～A0 地址，那么可以用U2 的P20 等引脚驱动CH372的地址

线A0，当然单片机程序中的端口地址需要相应修改。U4 用于简单的地址译码，产生所需的片选信号，

图中CH372 芯片的片选地址范围为B000H-BFFFH，而实际上CH372 只需要占用两个地址：地址BXX1H

用于写命令，地址BXX0H 用于读写数据。

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