igbt驱动电路分析 igbt典型驱动电路

专栏 2022年11月17日 08:36 24 银路电子网

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本文目录一览：

1、IGBT驱动电路，谁能指点下迷津，这个原理图理解总觉得很矛盾，有人可以指点下吗？在线等哦~~~
2、IGBT的驱动电路有什么特点
3、IGBT驱动驱动电路问题请教
4、IGBT的驱动电路
5、IGBT驱动电路分析
6、求分析IGBT的驱动电路

IGBT驱动电路，谁能指点下迷津，这个原理图理解总觉得很矛盾，有人可以指点下吗？在线等哦~~~

Rg：是IGBT驱动电阻；

VD3、R3、ZD1、C3组成稳压电路给恒流源供电，其中VD3负责整流和隔离；

VQ1、VQ2、VQ3、VQ4、R12、R11是个恒流源与VD1、CM配合实现控制IGBT开通dv/dt，原理是当IGBT开通过快导致IGBT的C极电压下降过快时（也就是dv/dt过高），这时电容CM的充电电流也加大，充电电流有部份来自IGBT的驱动电流（通过g点对驱动电流分流），这样就可以降低IGBT的开通速度，由此降低开通dv/dt；

VQ5、VQ6、VQ7、VQ8、R21、R22也是个恒流源与VD2、CM配合实现控制IGBT关断dv/dt，原理和上述一样，不过这是个反过程，当IGBT关断过快时它是注入电流至IGBT门极，降低IGBT关断速度。

这是我个人理解，只做参考！

igbt驱动电路分析 igbt典型驱动电路

IGBT的驱动电路有什么特点

IGBT(Insulated

Gate

Bipolar

Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,

兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

输出特性与转移特性：

IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。

IGBT与MOSFET的对比：

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

主要优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated

Gate

Bipolar

Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS

截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

IGBT驱动驱动电路问题请教

从电路上看，是为了将Fault信号与控制电路隔离，最左边的Fault_IGBT信号端应该是接到控制芯片（比如MCU）的，电路里的发光二极管是用来显示错误信号的，不过它这个电路里的位置有点怪，它应该是在R2的下端，光耦的上端和Fault_IGBT信号端都应该接到它的阴极才对啊。这样有错误信号的时候灯会亮，而且MCU也会检测到明确的错误信号

IGBT的驱动电路

这个模块里面已经集成igbt驱动电路分析了驱动电路igbt驱动电路分析，就是图中的pre-driverigbt驱动电路分析，上桥臂三个，三个下桥臂共用一个。准确说这个应该是一个IPM模块，而非IGBT模块，igbt驱动电路分析他们的区别就在于是否集成了驱动电路。

驱动电路顾名思义，就是驱动IGBT的：将输入的PWM信号转化成可以开通和关断IGBT的电平标准；使得驱动电流足以可以开通和关断IGBT（尤其是IGBT的Ice较大的时候）；使得PWM信号的上升时间和下降时间满足IGBT开通关断的要求。

另外，驱动电路还应该具备必要的保护功能，避免IGBT损坏。

驱动电路有现成的，正如楼上所说。