集成电路封装工艺 集成电路封装工艺流程

今天给大家聊到了集成电路封装工艺，以及集成电路封装工艺流程相关的内容，在此希望可以让网友有所了解，最后记得收藏本站。

本文目录一览：

• 1、集成电路芯片的封装形式有哪些
• 2、集成电路封装形式有哪些?
• 3、集成电路制造五个步骤

集成电路芯片的封装形式有哪些

1 封装

集成电路的封装形式是安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用集成电路封装工艺，同时还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上集成电路封装工艺，这些引脚又通过印制电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。封装技术的好坏又直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的印制电路板（PCB）的设计和制造。因此封装形式是至关重要的。

集成电路的封装形式有多种。按照封装外形分，主要有直插式封装、贴片式封装、BOA封装、CSP封装等类型。按照封装材料分，主要有金属封装、塑料封装和陶瓷封装等。常见集成电路的封装形式如表1所示。

表1 常见集成电路的封装形

2 集成电路的引脚识别

集成电路通常有多个引脚，每一个引脚都有其相应的功能。使用集成电路前，必须认真识别集成电路的引脚，确认电源、接地端、输人、输出、控制端等的引脚号，以免因接错而损坏器件。

几种常见的集成电路封装形式及引脚识别如表2所示。

表2 几种常见的集成电路封装形式及引脚识别

集成电路的封装形式有晶体管式封装、扁平封装和直插式封装。集成电路的引脚排列次序有一定规律，一般是从外壳顶部向下看，从左下角按逆时针方向读数，其中第一脚附近一般有参考标志，如缺口、凹坑、斜面、色点等。引脚排列的一般顺序如下。

①缺口。在集成电路的一端有一半圆形或方形的缺口。

②凹坑、色点或金属片。在集成电路一角有凹坑、色点或金属片。

③斜面、切角。在集成电路一角或散热片上有斜面切角。

④无识别标记。在整个集成电路上无任何识别标记，一般可将集成电路型号面对自己，正视型号，从左下向右逆时针依次为1、2、3……

⑤有反向标志“R”的集成电路。某些集成电路型号末尾标有“R”字样，如HA××××A、HA××××AR。若其型号后缀中有一字母R，则表明其引脚顺序为自右向左反向排列。例如，MS115P与M5115PR、HA1339A与HA1339B、HA1366W与HA1366WR等，前者其引脚排列顺序自左向右为正向排列，后者其引脚排列顺序则自右向左为反向排列。

以上两种集成电路的电气性能一样，只是引脚互相相反。

⑥金属圆壳形。此类集成电路的引脚，不同厂家有不同的排列顺序，使用前应查阅有关资料。

⑦三端集成稳压器。一般都无识别标记，各种集成电路有各种不同的引脚。

集成电路封装形式有哪些?

集成电路封装在电子学金字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字塔的基座。说它同时处在这两种位置都有很充分的根据。从电子元器件（如晶体管）的密度这个角度上来说，IC代表了电子学的尖端。但是IC又是一个起始点，是一种基本结构单元，是组成我们生活中大多数电子系统的基础。同样，IC不仅仅是单块芯片或者基本电子结构，IC的种类千差万别（模拟电路、数字电路、射频电路、传感器等），因而对于封装的需求和要求也各不相同。本文对IC封装技术做了全面的回顾，以粗线条的方式介绍了制造这些不可缺少的封装结构时用到的各种材料和工艺。集成电路发展初期，其封装主要是在半导体晶体管的金属圆形外壳基础上增加外引线数而形成的。但金属圆形外壳的引线数受结构的限制不可能无限增多，而且这种封装引线过多时也不利于集成电路的测试和安装，从而出现了扁平式封装。而扁平式封装不易焊接，随着波峰焊技术的发展又出现了双列式封装。由于军事技术的发展和整机小型化的需要，集成电路的封装又有了新的变化，相继产生了片式载体封装、四面引线扁平封装、针栅阵列封装、载带自动焊接封装等。同时，为了适应集成电路发展的需要，还出现了功率型封装、混合集成电路封装以及适应某些特定环境和要求的恒温封装、抗辐照封装和光电封装。并且各类封装逐步形成系列，引线数从几条直到上千条，已充分满足集成电路发展的需要。

集成电路制造五个步骤

半导体产业开始于上世纪。随着 1947 年固体晶体管集成电路封装工艺的发明集成电路封装工艺， 半导体行业已经获得了长足发展， 之后的发展方向是引入了集成电路和硅材料。集成电路将多个元件结合在了一块芯片上，提高了芯片性能、降低了成本。随着硅材料的引入，芯片工艺逐步演化为器件在硅片上层以及电路层的衬底上淀积。

芯片制造主要有五大步骤：硅片制备、芯片制造、芯片测试与挑选、装配与封装、终测。

芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来春天

芯片制造的五大步骤

（1）硅片制备。

首先是将硅从矿物中提纯并纯化，经过特殊工艺产生适当直径的硅锭。然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片。最后按照不同的定位边和沾污水平等参数制成不同规格的硅片。 本文讨论的主要内容就是硅片制备环节。

（2）芯片制造。

裸露的硅片到达硅片制厂，经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂等步骤，硅片上就刻蚀了一整套集成电路。芯片测试/拣选。 芯片制造完后将被送到测试与拣选区，在那里对单个芯片进行探测和电学测试，然后拣选出合格的产品，并对有缺陷的产品进行标记。

（3）装配与封装。

硅片经过测试和拣选后就进入了装配和封装环节，目的是把单个的芯片包装在一个保护壳管内。 硅片的背面需要进行研磨以减少衬底的厚度，然后把一个后塑料膜贴附在硅片背面，再沿划线片用带金刚石尖的锯刃将硅片上每个芯片分开，塑料膜能保持芯片不脱落。在装配厂，好的芯片被压焊或抽空形成装配包，再将芯片密封在塑料或陶瓷壳内。

（4）终测。

为确保芯片的功能， 需要对每一个被封装的集成电路进行测试， 以满足制造商的电学和环节的特性参数要求。

硅片制作的工艺流程

硅片制备之前是制作高纯度的半导体级硅（semiconductor-grade silicon， SGS），也被称为电子级硅。 制备过程大概分为三步，第一步是通过加热含碳的硅石（SiO2） 来生成气态的氧化硅 SiO；第二步是用纯度大概 98%的氧化硅，通过压碎和化学反应生产含硅的三氯硅烷气体（SiHCl3）； 第三步是用三氯硅烷经过再一次的化学过程，用氢气还原制备出纯度为 99.9999999%的半导体级硅。

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半导体硅的生产过程

对半导体级硅进一步加工得到硅片的过程被称为硅片制备环节。 硅片制备包括晶体生长、整型、切片、抛光、清洗和检测等步骤，通过单晶硅生长、 机械加工、化学处理、表面抛光和质量检测等环节最终生产出符合条件的高质量硅片。

关于集成电路封装工艺和集成电路封装工艺流程的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗 ？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。