mos管交流等效电路 mos管内部等效电路

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本文目录一览：

• 1、模电里很多三极管是用小信号方式来分析的，现实中，多小的信号算小信号啊，哪种可以用小信号等效电路分析
• 2、关于场效应管的等效电路问题
• 3、mos管可以控制交流电吗？
• 4、MOS和SBD应用场景去别
• 5、一个MOS管,场效应管的等效电路比普通的MOS管多了两个共阴极的二极管
• 6、三极管、MOS管的微变等效电路如何画

模电里很多三极管是用小信号方式来分析的，现实中，多小的信号算小信号啊，哪种可以用小信号等效电路分析

小信号模型是在给定的静态工作点，用来计算交流响应时采用的等效电路，一般来说当vin小于VT也就是26mV时，能够近似等效计算。在这个输入电压量级，可以近似认为电路的静态工作点不发生变化，从而将电路的交流响应近似为线性。

但实际上我们并不用去考虑输入信号是否真的小于26mV，小信号等效电路的意义在于计算系统增益，频率响应，输入输出电阻，判断系统闭环后是否稳定等等。

比如说最简单的单级共源放大电路，直流偏置点设置好之后，我们可以知道mos管的工作状态，是在saturation，还是在linear，还是在截止区，不同的工作状态对应不同的小信号模型。确定了小信号模型以后，就可以根据基尔霍夫定律计算Av，Ro，Ri，用这些参数可以得到电路的频率响应，设计稳定的系统。

关于场效应管的等效电路问题

就是一个电路单元的输出电流与该单元的输入电压的比值，这个电路单元通常指放大器。

跨导放大器的增益(该放大器输入电压变化时，输出电流将随之线性变化)。

在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。

mos管可以控制交流电吗？

控制220V交流电压不用MOS管mos管交流等效电路，因为MOS管mos管交流等效电路的源漏极间雪崩电压通常只有几十伏，而220V交流电压的峰值达308V，远超出MOS管的耐受能力。一般是用可控硅（晶闸管）来控制220V交流电压的导通角，可控硅耐压达到800V的很常见，即使控制380V交流电压也可以的。

交流电：概念交变电流：大小和方向都随时间作周期性变化而且在一周期内的平均值等于零的电流叫做交变电流（alternatingcurrent),简称交流（AC)。以正弦交流电应用最为广泛，且其他非正弦交流电一般都可以经过数学处理后，化成为正弦交流电的迭加。正弦电流（又称简谐电流），是时间的简谐函数。当闭合线圈在磁场中匀速转动时，线圈里就产生大小和方向作周期性改变的交流电。现在使用的交流电，一般频率是50Hz。我们常见的电灯、电动机等用的电都是交流电。在实用中，交流电用符号"~"表示。

MOS和SBD应用场景去别

MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域mos管交流等效电路；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

  场效应管主要有两种类型mos管交流等效电路，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

MOS管即MOSFETmos管交流等效电路，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

▲ MOSFET种类与电路符号

有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

关于寄生二极管的作用，有两种解释mos管交流等效电路：1、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。

什么是IGBT？

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。

IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

MOS管和IGBT的结构特点

MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。

IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。

选择MOS管还是IGBT？

在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：

也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。

总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

一个MOS管,场效应管的等效电路比普通的MOS管多了两个共阴极的二极管

应该是在G、S之间吧。是二只反向串联的二极管，是起保护用的，防止G、S被静电击穿或电路上驱动电压太高，损坏MOS管。

三极管、MOS管的微变等效电路如何画

怎么说吧，这个有静态和动态两种，要画图的，我也好久都不弄这些了。

三极管就是输入是一个电阻穿一个电压源模拟be级的压降，这个电阻就是三极管的内阻。输出就是一个受控的恒流源～～～～

mos有很多种了，不知道你是哪种，Vmos jmos 还是一般的mos。稍微还是有点区别的

说实在的mos我也没画过，你要找到会画的估计还真的很难，

但是输出可以理解为一个受电压控制的恒流源

输入如果是vmos有一个Vgs就是启动电压，可以用负电压源表示这个Vgs至于内阻是无穷，动态的话还要分析输入的结电容2000p左右

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