可控硅驱动电路 单向可控硅触发电路图
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可控硅直流应用电路接线法.....
可控硅有A，K，G三脚，当AK间加上交流电，在KG之间加一触发信号，单向可控硅在交流半波（10毫秒内）任意时间起加触发，其信号可很短，（例如10微秒的脉冲）可控硅导通。
10微秒后脉冲消失，可控硅还是导通的，只有当正弦波过零时AK间没有维持电压，可控硅就关断了；若不再加脉冲，即使AK间重新获得电压，可控硅还是关断的。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
扩展资料：
电路图是带有符号的图片，这些符号在各个国家都有所不同，并且随着时间而改变，但是现在在很大程度上是国际标准化的。简单的组件通常具有旨在表示设备的物理结构的某些特征的符号。
在电路图上，组件的符号标有一个描述符或参考标志，与部件列表中的匹配。例如，C1是第一个电容器，L1是第一个电感器，Q1是第一个晶体管，R1是第一个电阻器。组件的值或类型名称通常在零件旁边的图表中给出，但详细的规格将在零件清单上列出。
原理图制作完成后，将其转换为可以制作在印刷电路板（PCB）上的布局。原理图驱动的布局从电路图捕获的过程开始。结果就是所谓的鼠窝。
老鼠巢是一堆杂乱无章的线（线）互相交叉到目的地节点。这些电线通过使用电子设计自动化（EDA）工具手动或自动布线。EDA工具可以排列和重新排列组件的位置，并找到路径来连接各个节点。这导致集成电路或印刷电路板的最终布局图。
参考资料来源：百度百科--接线图
参考资料来源：百度百科--可控硅
可控硅驱动三相电机电路
你好，这可控硅电路还是比较简单的，就是单片机控制单结管触发的那种就可以了，如果用作调速电机不一样，普通电机降电压就烧，要用专用电机，这种电机比普通电机阻抗大、散热好。（不好意思，这种电机的型号我忘记了）---------哦对了，不作调速只做开关用还是完全可以的。
双向可控硅电路工作原理求解释……
你看一下双硅的等效图就会明白的 双硅跟单硅不同 控制极加的是一个交流触发电压 触发电压来自于R2和R3的分压后 经光耦控制可控硅的导通 从而控制负载工作还是停止 在这里光耦只是起到一个无触点开关的作用 即便去掉光耦 负载也能够工作 只是停止不了 所以光耦在这里就相当于电灯的一个开关 通过调整触发脉冲频率来控制可控硅的导通角 达到控制可控硅输出电压的目的
场效应管和可控硅驱动电路一样吗?
p他们可控硅驱动电路的驱动电路是有本质上可控硅驱动电路的区别可控硅驱动电路，首先场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其中绝缘栅型场效应管也叫MOS管（有一种场效应管、三极管混合的器件叫IGBT俗称门控管，该器件的驱动电路与场效应管的驱动电路几乎一样），这种驱动属于电压驱动，在大多应用在功率输出、电力变换等场合，要求最好采用PWM（脉宽调制）信号来控制，其输入到栅极的方波上升沿要求陡峭（也称图腾柱输出），并且要有一定的瞬态驱动能力（因为场效应管的栅极等效一个电容，当驱动信号的瞬态功率不够时，其原本的波形将被改变，通常等效为一个积分器），要求导通时，其栅极电压要相对于源极高10-20V左右，典型值15V，而关断时为可控硅驱动电路了保证场效应管关断可靠，该电压此时应该为-15V，在实际应用中为可控硅驱动电路了减小场效应管的功耗过大或防止其损坏一般要加如过流保护和相关吸收电路，并且尽量做到场效应管的工作频率与负载的谐振频率相同，典型应用就是电磁炉，流过炉盘（加热线圈）的电流与流过吸收电容的电流各自虽然都很大，但相位不同，互相抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管（实际用IGBT）的电流较小。下图为场效应管的典型驱动电路：/p
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p而可控硅属电流驱动，因为他等效于两个三极管构成正反馈放大，当有一个触发信号后，由于强大的正反馈作用，使之一直导通，当栅极电压高于阳极电压或者阳极、阴极电压差小于一定数值时正反馈才会失效，即可控硅被复位，一般情况下，其栅极电压不会高于阳极，所以可控硅属于不可关断的半控器件，当触发导通时无法通过栅极关断，而场效应管属全控器件可以通过栅极关断。下图为可控硅结构及其典型驱动电路：/p
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