光耦控制可控硅电路 可控硅光电耦合器
本篇文章给大家谈谈光耦控制可控硅电路,以及可控硅光电耦合器对应的知识点,希望对各位有所帮助,不要忘了收藏本站喔。
本文目录一览:
- 1、什么是光耦可控硅
- 2、光耦moc3041控制双向可控硅电路,图1实验没成功,图2还不知道,请高手指点,问题有哪些?
- 3、用光耦来控制 双向可控硅的控制原理
- 4、请教下图中光耦和可控硅控制电压的原理是什么,moc3063接的是51的io口
- 5、关于光耦控制双向可控硅的问题。
- 6、可控硅 光耦的经典电路求讲解
什么是光耦可控硅
光耦可控硅:
晶闸管,又称可控硅(单向scr、双向bcr)是一种4层的(pnpn)三端器件。在电子技术和工业控制中,被派作整流和电子开关等用场。在这里,介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。
1、锁存器电路。
图1是一种由继电器j、电源(+12v)、开关k1和微动开关k2组成的锁存器电路。当电源开关k1闭合时,因j回路中的开关k2和其触点j-1是断开的,继电器j不工作,其触点j-2也未闭合,所以电珠l不亮。一旦人工触动一下k2,j得电激活,对应的触点j-1、j-2闭合,l点亮。此时微动开关k2不再起作用(已自锁)。要使电珠l熄灭,只有断开电源开关k1使继电器释放,电珠l才会熄灭。所以该电路具有锁存器(j-1自锁)的功能。
图2电路是用单向可控硅scr代替图1中的继电器j,仍可完成图1的锁存器功能,即开关k1闭合时,电路不工作,电珠l不亮。当触动一下微动开关k2时,scr因电源电压通过r1对门极加电而被触发导通且自锁,l点亮,此时k2不再起作用,要使l熄灭,只有断开k1。由此可见,图2电路也具有锁存器的功能。
图2与图1虽然都具有锁存器功能,但它们的工作条件仍有区别:
(1)图1的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其j线圈和l的电流,但图2中,是利用scr自身导通完成锁存功能。
(2)图1的j与控制器件l完全处于隔离状态,但图2中的scr与l不能隔离。所以在实际应用电路中,常把图1和图2电路混合使用,完成所需的锁存器功能。
2、单向可控硅scr振荡器。
图3电路是利用scr的锁存性制作的低频振荡器电路。
图中的扬声器ls(8ω/0.5w)作为振荡器的负载。当电路接上电源时,由于电源通过r1对c1充电,初始时,c1电压很低,a、b端的电位器w的分压不能触发scr,scr不导通。当c1充得电压达到一定值时,a、b端电压升高,scr被触发而导通。一旦scr导通,电容器c1通过scr和ls放电,结果a、b
端的电压又下降,当a、b端电压下降到很低时,又使scr截止,一旦scr截止,电容器c1又通过r1充电,这种充放电过程反复进行形成电路的振荡,此时ls发出响声。电路中的w可用来调节scr门极电压的大小,以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据,c1取值为0.22~4μf,电路均可正常工作。
3、scr半波整流稳压电源。
如图4电路,是一种输出电压为+12v的稳压电源。
该电路的特点是变压器b将220v的电压变换为低压(16~20v),采用单向可控硅scr半波整流。scr的门极g从r1、d1和d2的回路中的c点取出约13.4v的电压作为scr门阴间的偏置电压。电容器c1起滤波和储能作用。在输出cd端可获得约+12v的稳压。
电路工作时,当a点低压交流为正半周时,scr导通对c1充电。当充电电压接近c点电压或交流输入负半周时,scr截止,所以c1上充得电压(即输出端cd)不会高于c点的稳压值。只有储能电容c1输出端对负载放电,其电压低于c点电压时,在a点的正半周电压才会给c1即时补充充电,以维持输出电压的稳定。图4电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源,按图中参数其输出电流可达2~3a。
4、scr全波整流稳压电源。
上述的半波整流稳压电源,其缺点是电源的效率低,其纹波也较大。图5的scr全波整流稳压电源,完全克服了上述的缺点。该电路的输出电压也为12v(也可改接成其他电压输出)。该电路实际是由图4的两个半波整流和稳压电路组合而成。d1、scr1、d4等工作在交流的正半周;d2、scr2、d6等工作在交流的负半周,他们共同向输出的c、d端提供电流。电路中的d3、d5起隔离作用,即d3是防止a点交流负半周时,其电流通过r1;d5是防止a点交流正半周时,其电流通过r2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。
光耦moc3041控制双向可控硅电路,图1实验没成功,图2还不知道,请高手指点,问题有哪些?
图1你没有成功的原因是:Q1的右边没有电压,所以就算你给Q1的G级一个触发电压 它也不会导通,所以就算你短接AB Q1同样不会导通,因为Q1的右边无电压
解决办法是 把Q1撤掉不用, B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路:这样,当光耦导通的时候,复发电压有了,电压和T1,T2(Q2的另外两端)的方向一致,Q2便导通。灯就亮了
用光耦来控制 双向可控硅的控制原理
是图画错了?如果是这样接线的话,这个双向可控硅是长期导通的。
请教下图中光耦和可控硅控制电压的原理是什么,moc3063接的是51的io口
就是用光耦给可控硅的控制极加一个正向电压,可控硅就导通了.
说白了就是小电流控制大电流.光耦的电流不够大.加个可控硅
关于光耦控制双向可控硅的问题。
MOC3041最大能承受1A光耦控制可控硅电路的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题光耦控制可控硅电路的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
再就是光耦的驱动端,3041的驱动电流是15mA,3043的驱动电流是5mA,如果用单片机直接驱动,建议用3043,否则最好使用三极管驱动,为了保证寿命,还必须增加老化系数,建议3043使用7mA,3041 使用20mA,还有驱动方式,3041是过零触发器件,需要电平驱动,脉冲驱动无效,要使用脉冲驱动请重新选择光耦。
可控硅 光耦的经典电路求讲解
当光耦二极管有电流流过时,光耦的可控硅导通,当R3上的电压达到外可控硅导通电压时,外可控硅导通。电阻R2是分压电阻,防止光耦的可控硅导通时,电压过高,把外可控硅的控制端打坏。光耦的作用是隔离,门极的触发电压不能直接去控制外可控硅。
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