光耦控制可控硅电路 可控硅光电耦合器

本篇文章给大家谈谈光耦控制可控硅电路，以及可控硅光电耦合器对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、什么是光耦可控硅
• 2、光耦moc3041控制双向可控硅电路，图1实验没成功，图2还不知道，请高手指点，问题有哪些？
• 3、用光耦来控制 双向可控硅的控制原理
• 4、请教下图中光耦和可控硅控制电压的原理是什么，moc3063接的是51的io口
• 5、关于光耦控制双向可控硅的问题。
• 6、可控硅 光耦的经典电路求讲解

什么是光耦可控硅

光耦可控硅：

晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。

1、锁存器电路。

图1是一种由继电器j、电源（＋12v）、开关k1和微动开关k2组成的锁存器电路。当电源开关k1闭合时，因j回路中的开关k2和其触点j－1是断开的，继电器j不工作，其触点j－2也未闭合，所以电珠l不亮。一旦人工触动一下k2，j得电激活，对应的触点j－1、j－2闭合，l点亮。此时微动开关k2不再起作用（已自锁）。要使电珠l熄灭，只有断开电源开关k1使继电器释放，电珠l才会熄灭。所以该电路具有锁存器（j－1自锁）的功能。

图2电路是用单向可控硅scr代替图1中的继电器j，仍可完成图1的锁存器功能，即开关k1闭合时，电路不工作，电珠l不亮。当触动一下微动开关k2时，scr因电源电压通过r1对门极加电而被触发导通且自锁，l点亮，此时k2不再起作用，要使l熄灭，只有断开k1。由此可见，图2电路也具有锁存器的功能。

图2与图1虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：

（1）图1的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其j线圈和l的电流，但图2中，是利用scr自身导通完成锁存功能。

（2）图1的j与控制器件l完全处于隔离状态，但图2中的scr与l不能隔离。所以在实际应用电路中，常把图1和图2电路混合使用，完成所需的锁存器功能。

2、单向可控硅scr振荡器。

图3电路是利用scr的锁存性制作的低频振荡器电路。

图中的扬声器ls（8ω／0．5w）作为振荡器的负载。当电路接上电源时，由于电源通过r1对c1充电，初始时，c1电压很低，a、b端的电位器w的分压不能触发scr，scr不导通。当c1充得电压达到一定值时，a、b端电压升高，scr被触发而导通。一旦scr导通，电容器c1通过scr和ls放电，结果a、b

端的电压又下降，当a、b端电压下降到很低时，又使scr截止，一旦scr截止，电容器c1又通过r1充电，这种充放电过程反复进行形成电路的振荡，此时ls发出响声。电路中的w可用来调节scr门极电压的大小，以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据，c1取值为0．22～4μf，电路均可正常工作。

3、scr半波整流稳压电源。

如图4电路，是一种输出电压为＋12v的稳压电源。

该电路的特点是变压器b将220v的电压变换为低压（16～20v），采用单向可控硅scr半波整流。scr的门极g从r1、d1和d2的回路中的c点取出约13．4v的电压作为scr门阴间的偏置电压。电容器c1起滤波和储能作用。在输出cd端可获得约＋12v的稳压。

电路工作时，当a点低压交流为正半周时，scr导通对c1充电。当充电电压接近c点电压或交流输入负半周时，scr截止，所以c1上充得电压（即输出端cd）不会高于c点的稳压值。只有储能电容c1输出端对负载放电，其电压低于c点电压时，在a点的正半周电压才会给c1即时补充充电，以维持输出电压的稳定。图4电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源，按图中参数其输出电流可达2～3a。

4、scr全波整流稳压电源。

上述的半波整流稳压电源，其缺点是电源的效率低，其纹波也较大。图5的scr全波整流稳压电源，完全克服了上述的缺点。该电路的输出电压也为12v（也可改接成其他电压输出）。该电路实际是由图4的两个半波整流和稳压电路组合而成。d1、scr1、d4等工作在交流的正半周；d2、scr2、d6等工作在交流的负半周，他们共同向输出的c、d端提供电流。电路中的d3、d5起隔离作用，即d3是防止a点交流负半周时，其电流通过r1；d5是防止a点交流正半周时，其电流通过r2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。

光耦moc3041控制双向可控硅电路，图1实验没成功，图2还不知道，请高手指点，问题有哪些？

图1你没有成功的原因是：Q1的右边没有电压，所以就算你给Q1的G级一个触发电压 它也不会导通，所以就算你短接AB Q1同样不会导通，因为Q1的右边无电压

解决办法是 把Q1撤掉不用， B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路：这样，当光耦导通的时候，复发电压有了，电压和T1，T2（Q2的另外两端）的方向一致，Q2便导通。灯就亮了

用光耦来控制 双向可控硅的控制原理

是图画错了？如果是这样接线的话，这个双向可控硅是长期导通的。

请教下图中光耦和可控硅控制电压的原理是什么，moc3063接的是51的io口

就是用光耦给可控硅的控制极加一个正向电压,可控硅就导通了.

说白了就是小电流控制大电流.光耦的电流不够大.加个可控硅

关于光耦控制双向可控硅的问题。

MOC3041最大能承受1A光耦控制可控硅电路的峰值输出电流，驱动BTA16是没有任何问题光耦控制可控硅电路的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。

再就是光耦的驱动端，3041的驱动电流是15mA，3043的驱动电流是5mA，如果用单片机直接驱动，建议用3043，否则最好使用三极管驱动，为了保证寿命，还必须增加老化系数，建议3043使用7mA,3041 使用20mA,还有驱动方式，3041是过零触发器件，需要电平驱动，脉冲驱动无效，要使用脉冲驱动请重新选择光耦。

可控硅 光耦的经典电路求讲解

当光耦二极管有电流流过时，光耦的可控硅导通，当R3上的电压达到外可控硅导通电压时，外可控硅导通。电阻R2是分压电阻，防止光耦的可控硅导通时，电压过高，把外可控硅的控制端打坏。光耦的作用是隔离，门极的触发电压不能直接去控制外可控硅。

光耦控制可控硅电路的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于可控硅光电耦合器、光耦控制可控硅电路的信息别忘了在本站进行查找喔。